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片式穿芯多层陶瓷电容器
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片式穿芯多层陶瓷电容器

片式穿芯电容器体积小,重量轻,直流内阻低,无极性,可取代穿越式/意会式低通滤波器 。事情温度规模为-55℃~125℃,事情电流最高可达20A,是具有优良的抗瞬间高频滋扰信号的低通滤波器 。适用于军通讯、细密仪器、仪表等可靠性要求的电子装备外貌贴装电路电子装备领域 。




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片式穿芯电容器参数特征及用途.jpg

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